新器件進一步提高電源效率
東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）推出新系列的下一代650V功率MOSFET，用于數(shù)據(jù)中心服務(wù)器電源、太陽能（PV）功率調(diào)節(jié)器、不間斷電源系統(tǒng)（UPS）和其他工業(yè)應(yīng)用。
TK040N65Z是DTMOS VI系列的首款器件，是一款支持續(xù)漏極電流（ID）高達57A，脈沖電流（IDP）高達228A的650V器件該款新器件提供0.04Ω（0.033Ω典型值）超低漏源極導通電阻RDS(ON)，可有效減少電源應(yīng)用中的損耗。得益于更低的電容設(shè)計，該款增強型器件成為現(xiàn)代高速電源應(yīng)用的理想之選。.
關(guān)鍵性能指標／品質(zhì)因數(shù)（FoM） – RDS(ON) x Qgd的降低使得電源效率得到提高。與上一代DTMOS IV-H器件相比，TK040N65Z的這一重要指標提升40%，這意味著電源效率顯著提高，據(jù)測量，2.5kW PFC電路中電源效率提高大約0.36%[1]。
該款新器件采用業(yè)界標準的TO-247封裝，既實現(xiàn)了與舊版設(shè)計的兼容性，也適用于新項目。
為滿足市場需求，東芝將繼續(xù)擴大其產(chǎn)品陣容并幫助提高電源和電源系統(tǒng)的效率。
該款新器件的批量生產(chǎn)和出貨即日啟動。
應(yīng)用場合
數(shù)據(jù)中心（服務(wù)器電源等）
光伏發(fā)電機功率調(diào)節(jié)器
不間斷電源系統(tǒng)
特點
RDS(ON) × Qgd降低，支持開關(guān)電源提高效率
